消息稱三星背面供電芯片測試結(jié)果良好 有望提前導(dǎo)入
作者:休閑 來源:焦點 瀏覽: 【大 中 小】 發(fā)布時間:2025-11-24 18:39:05 評論數(shù):
2 月 29 日消息，消息芯片據(jù)韓媒 Chosunbiz 報道，稱星測試三星電子近日在背面供電網(wǎng)絡(luò)（BSPDN）芯片測試中獲得了好于預(yù)期的背面麗江模特包夜（電話微信181-2989-2716）提供一二線城市可以真實可靠快速安排30分鐘到達(dá)成果，有望提前導(dǎo)入未來制程節(jié)點。供電
傳統(tǒng)芯片采用自下而上的結(jié)果制造方式，先制造晶體管再建立用于互連和供電的良好線路層。但隨著制程工藝的有望收縮，傳統(tǒng)供電模式的提前線路層越來越混亂，對設(shè)計與制造形成干擾。導(dǎo)入麗江模特包夜（電話微信181-2989-2716）提供一二線城市可以真實可靠快速安排30分鐘到達(dá)
BSPDN 技術(shù)將芯片供電網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)移至晶圓背面，消息芯片可簡化供電路徑，稱星測試解決互連瓶頸，背面減少供電對信號的供電干擾，最終可降低平臺整體電壓與功耗。結(jié)果對于三星而言，良好還特別有助于移動端 SoC 的小型化。
▲ BSPDN 背面供電網(wǎng)絡(luò)示意圖。圖源 imec
參考韓媒報道，三星電子在測試晶圓上對兩種不同的 ARM 內(nèi)核設(shè)計進(jìn)行了測試，在芯片面積上分別減小了 10% 和 19%，同時還獲得了不超過 10% 的性能、頻率效率提升。
Chosunbiz 稱，三星此前考慮在 2027 年左右的 1.7nm（IT之家注：此處存疑，以往報道中為 1.4nm）工藝中實現(xiàn)背面供電技術(shù)的商業(yè)化，但由于目前超額完成了開發(fā)目標(biāo)，預(yù)計將修改路線圖，最早在明年推出的 2nm 中應(yīng)用。
三星電子的兩大競爭對手臺積電和英特爾也積極布局背面供電領(lǐng)域：其中英特爾將于今年的 20A 節(jié)點開始推出其 BSPDN 實現(xiàn) PowerVia；而根據(jù)科技博客 More Than Moore 消息，臺積電預(yù)計將在 2025 年推出標(biāo)準(zhǔn) N2 節(jié)點后 6 個月左右發(fā)布對應(yīng)的背面供電版本。
▲ 臺積電未來技術(shù)路線圖。圖源科技博客 More Than Moore
傳統(tǒng)芯片采用自下而上的結(jié)果制造方式，先制造晶體管再建立用于互連和供電的良好線路層。但隨著制程工藝的有望收縮，傳統(tǒng)供電模式的提前線路層越來越混亂，對設(shè)計與制造形成干擾。導(dǎo)入麗江模特包夜（電話微信181-2989-2716）提供一二線城市可以真實可靠快速安排30分鐘到達(dá)
BSPDN 技術(shù)將芯片供電網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)移至晶圓背面，消息芯片可簡化供電路徑，稱星測試解決互連瓶頸，背面減少供電對信號的供電干擾，最終可降低平臺整體電壓與功耗。結(jié)果對于三星而言，良好還特別有助于移動端 SoC 的小型化。
▲ BSPDN 背面供電網(wǎng)絡(luò)示意圖。圖源 imec
參考韓媒報道，三星電子在測試晶圓上對兩種不同的 ARM 內(nèi)核設(shè)計進(jìn)行了測試，在芯片面積上分別減小了 10% 和 19%，同時還獲得了不超過 10% 的性能、頻率效率提升。
Chosunbiz 稱，三星此前考慮在 2027 年左右的 1.7nm（IT之家注：此處存疑，以往報道中為 1.4nm）工藝中實現(xiàn)背面供電技術(shù)的商業(yè)化，但由于目前超額完成了開發(fā)目標(biāo)，預(yù)計將修改路線圖，最早在明年推出的 2nm 中應(yīng)用。
三星電子的兩大競爭對手臺積電和英特爾也積極布局背面供電領(lǐng)域：其中英特爾將于今年的 20A 節(jié)點開始推出其 BSPDN 實現(xiàn) PowerVia；而根據(jù)科技博客 More Than Moore 消息，臺積電預(yù)計將在 2025 年推出標(biāo)準(zhǔn) N2 節(jié)點后 6 個月左右發(fā)布對應(yīng)的背面供電版本。
▲ 臺積電未來技術(shù)路線圖。圖源科技博客 More Than Moore