三星顯示器公司與LG Display準(zhǔn)備在柔性O(shè)LED薄膜封裝過(guò)程中采用ALD(原子層沉積)技術(shù)，星和兩家公司已經(jīng)與合作伙伴合作，將用D技在內(nèi)部采購(gòu)并驗(yàn)證ALD設(shè)備。術(shù)產(chǎn)上海徐匯外圍工作室（外圍）vx《192-1819-1410》提供外圍女上門服務(wù)快速選照片快速安排不收定金面到付款30分鐘可到達(dá)如果采用ALD技術(shù)，柔性就可以更好保護(hù)有機(jī)材料，屏延減少氧、長(zhǎng)使水的用壽影響，從而提高柔性O(shè)LED面板的星和壽命和性能。

　　據(jù)產(chǎn)業(yè)人士透露，將用D技三星顯示器和LG Display正準(zhǔn)備在柔性O(shè)LED生產(chǎn)流程中采用ALD技術(shù)。術(shù)產(chǎn)上海徐匯外圍工作室（外圍）vx《192-1819-1410》提供外圍女上門服務(wù)快速選照片快速安排不收定金面到付款30分鐘可到達(dá)Jusung Engineering、柔性WONIK IPS、屏延AP System和TES擁有ALD技術(shù)和設(shè)備。長(zhǎng)使LG Display已經(jīng)完成對(duì)ALD的用壽研究，準(zhǔn)備將它用于柔性O(shè)LED生產(chǎn);三星顯示器也在加速部署ALD技術(shù)。星和

　　兩家公司完成了ALD技術(shù)的研發(fā)，它們正在考慮實(shí)際引入ALD的可能性，因?yàn)樗鼈冋谙蛉嵝設(shè)LED生產(chǎn)設(shè)施投資。企業(yè)的研發(fā)已經(jīng)完成，開(kāi)始進(jìn)入商用階段。

　　OLED是有機(jī)材料，它存在缺陷，比如，OLED對(duì)水和氧的防護(hù)比較弱。為了保護(hù)OLED，制造商會(huì)在OLED之上鋪上許多層的薄膜，減少水和氧的侵蝕。具體鋪多少層?不同的制造商有不同的標(biāo)準(zhǔn)，一般而言，制造企業(yè)會(huì)用一種名叫“Vitex”的方法在OLED之上鋪蓋有機(jī)薄膜和無(wú)機(jī)薄膜，交疊進(jìn)行，各自3-5層。。

　　在無(wú)機(jī)薄膜封裝過(guò)程中，企業(yè)一般使用PECVD(等離子體增強(qiáng)化學(xué)汽相沉積)、濺射、ALD技術(shù);如果是有機(jī)薄膜沉淀，使用的是Kateeva的噴墨打印技術(shù)。為了生成無(wú)機(jī)薄膜，三星和LG采用PECVD技術(shù)。

　　為什么兩家企業(yè)現(xiàn)在才考慮用ALD技術(shù)替代PECVD?因?yàn)閴勖托阅軐?duì)于柔性O(shè)LED來(lái)說(shuō)越來(lái)越重要。另外，柔性O(shè)LED屏幕的生產(chǎn)力下降，需求增長(zhǎng)也是一個(gè)問(wèn)題。

　　ALD技術(shù)是CVD(化學(xué)蒸汽沉積)技術(shù)的一種，它交替噴射原材料(包括ALD金屬和反應(yīng)氣體)從而形成原子薄膜層。MLD技術(shù)(分子層沉積)可以形成有機(jī)材料分子層，兩者結(jié)合就可以形成多層屏障，保護(hù)OLED，使之免受水和氧的侵蝕，即使在低溫下也可以形成。

　　在屏幕生產(chǎn)過(guò)程中引進(jìn)ALD技術(shù)有一些優(yōu)勢(shì)，例如，它可以減少雜質(zhì)，形成厚度相同的薄膜。ALD技術(shù)可以涂上高質(zhì)量薄膜層，保護(hù)效果明顯增強(qiáng)。如果無(wú)機(jī)薄膜的厚度不同(只有幾納米的差別)，層層疊加，總薄膜厚度、滲水率就會(huì)受到影響。除此之外，與現(xiàn)有的CVD方法相比，ALD技術(shù)還可以采用各種不同的薄膜，這也是它的一個(gè)優(yōu)勢(shì)。

　　半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)追求精細(xì)工藝，ALD成為它們追捧的對(duì)象。不過(guò)顯示屏產(chǎn)業(yè)一直對(duì)ALD保持猶豫態(tài)度，因?yàn)樗某杀颈萈ECVD高，大面積使用也存在一定的問(wèn)題，沉積速度不夠快。最近一段時(shí)間問(wèn)題已經(jīng)部分解決，正因如此ALD才會(huì)真正投入使用。

　　一名產(chǎn)業(yè)代表稱：“雖然ALD和PECVD不可同日而語(yǔ)，但是ALD的沉積速度比PECVD慢了大約10倍。因?yàn)槌练e速度慢，生產(chǎn)效率也很低，大面積應(yīng)用有困難，這些都是主要的障礙，之所以真正引進(jìn)ALD技術(shù)，主是是考慮到它可以形成更薄的高質(zhì)量薄膜。”